A rápida evolução da inteligência synthetic (AI) exige tecnologias inovadoras de memória que integram processamento de alta velocidade ao armazenamento de dados com eficiência energética. Aqui, relatamos um dispositivo de fotomemoria dimensional misto baseado em uma arquitetura CSPBBR3/AL2O3/MOS2, alavancando pontos quânticos de perovskita (PQDs) como uma camada fotoativa de porta flutuante, um dielétrico AL2O3 ajustável e um canal 2D MOS2. Caracterizações ópticas e elétricas, incluindo fotoluminescência de estado estacionário e resolvido no tempo (PL), microscopia de força da sonda Kelvin (KPFM) e medições de tensão de corrente, revelam a interação de espessura dielétrica e efeitos interfaciais na eficiência da transferência de carga. Ao otimizar a espessura do AL2O3 para 5,5 nm, alcançamos o controle preciso da dinâmica de transferência de carga, permitindo uma taxa de transferência de carga supreme com energia óptica mínima (~ sub-PJ) para armazenar uma única carga positiva nos PQDs. O dispositivo exibe desempenho optoeletrônico excepcional, incluindo uma correlação quase linear entre o número de fótons incidentes e a fotocorrente média (IPH (AVG)) em duas ordens de magnitude, capacidade de armazenamento multinível e uma janela de memória com uma proporção alta/desligada. Esses achados estabelecem uma plataforma robusta para fotomemorias baseadas em perovskita de próxima geração, oferecendo informações sobre sistemas optoeletrônicos de alto desempenho e eficiência energética para aplicações avançadas de chip de IA.
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