A Universidade do Texas em Austin (UT Austin) selecionou Electroninks, um fornecedor de tintas complexas de metallic Para fabricação aditiva e embalagem avançada de semicondutores, Como fornecedor exclusivo da Tecnologia de Materiais Core que permite seu trabalho sob o Programa de Manufatura Aditiva de Microssistemas de Projetos de Pesquisa Avançada de Defesa (DARPA) (AMME). A iniciativa visa revolucionar a produção de microssistemas 3D não planares, desenvolvendo novos materiais e tecnologias AM. Seu objetivo é demonstrar um processo de alto rendimento que integra vários materiais-como condutores e isoladores-dentro de uma única estrutura, permitindo projetos complexos além do possível com os métodos convencionais.
Como parte da Amme, Departamento de Engenharia Mecânica da UT Austin está trabalhando ao lado de vários líderes da indústria e instituições acadêmicas para impulsionar inovações inovadoras em embalagens avançadas de semicondutores. A Electroninks, um provedor de tecnologia importante no projeto, fornecerá materiais críticos necessários para as novas técnicas de interconexão 3D da Amme. Ao desenvolver materiais condutores inovadores otimizados para padronização litográfica de alta velocidade e grande área, as contribuições da Electroninks ajudarão a superar as limitações fundamentais nos atuais processos de embalagem de semicondutores.
Amme procura transformar a fabricação do microssistema por avanços pioneiros em alta velocidade, alto quantity e Produção multimaterial de alta resolução. Esse processo de AM de ponta aprimorará os dispositivos comerciais com tecnologias integradas de próxima geração, permitindo a rápida adaptabilidade a requisitos de missão em evolução-assim como o AM revolucionou prototipagem complexa. Através da Amme, a DARPA pretende romper as limitações inerentes à fabricação tradicional do microssistema, desbloqueando novas possibilidades de inovação e escalabilidade.
As tintas de complexo metálico de Electoninks será usado para aumentar significativamente as taxas de transferência de dados e diminuir drasticamente o consumo de energia das plataformas de tecnologia. Essas tintas otimizarão a fabricação de semicondutores, os rendimentos de aumento, melhorando a flexibilidade do projeto para pacotes 3D e cortando o tempo de embalagem de meses a horas. Essas tintas também permitem que as matrizes sejam empacotadas mais próximas, o que significa que os elétrons viajam com distâncias mais curtas, o que aumenta as velocidades de transferência e reduz a energia consumida. As implicações são significativas ao considerar que um único information middle de IA em 2035 deve exigir vários gigawatts, que é a saída de uma usina nuclear inteira – mesmo uma redução de 5% no consumo de energia seria igual à de construir uma usina de carvão moderna.
“A Amme representa um passo significativo na tecnologia de semicondutores, enfrentando desafios críticos em {hardware} de IA e embalagens avançadas”, disse o professor Michael Cullinan, da Universidade do Texas, em Austin. “Ao integrar materiais de ponta à litografia holográfica de ponta, pretendemos impulsionar novos níveis de eficiência e capacidade na fabricação de semicondutores”.
O investimento da DARPA ressalta a importância estratégica de promover tecnologias de integração 3D da próxima geração para manter a liderança dos EUA em Inovação de semicondutores e aplicações relacionadas à defesa. A colaboração entre as instituições de pesquisa da academia, da indústria e do governo ajudará a acelerar a comercialização de técnicas avançadas de fabricação críticas para o futuro da computação de alto desempenho e Aplicações de inteligência synthetic.
“Obviamente, estamos prontos para ser um parceiro significativo para esse consórcio e desempenhar um papel basic no cumprimento dos objetivos da DARPA”, disse Brett Walker, PhD, co-fundador e CEO da Electroninks. “Esta é uma ótima notícia para o estado do Texas, a inovação e o futuro da tecnologia”.